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Perú
TMH4-N2CB - Controladores de temperatura modular multi-canal de alto rendimiento
* La imagen puede diferir
TMH4-N2CB
- No. de canal : 4 canales
- Ciclo de muestreo : 50ms(muestreo síncrono de 2 ó 4-canales)
- Comunicación : Modbus RTU
- Fuente de alimentación : 24VCC @(=)
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| No. de canal | 4 canales |
|---|---|
| Ciclo de muestreo | 50ms(muestreo síncrono de 2 ó 4-canales) |
| Tipo de entrada TC | K(CA), J(IC), E(CR), T(CC), B(PR), R(PR), S(PR), N(NN), C(TT), G(TT), L(IC), U(CC), Platinel II |
| Tipo de entrada RTD | DPt100Ω, JPt100Ω, DPt50Ω, Cu100Ω, Cu50Ω, Níquel 120Ω 3-hilos (Línea de resistencia permitida máx. 5Ω) |
| Tipo de entrada analógica | Voltaje: 0-100mVCC @(=), 0-5VCC @(=), 1-5VCC @(=), 0-10VCC@(=)Corriente: 0-20mA, 4-20mA |
| Tipo de entrada del controlador de temperatura | 0.0-50.0A (rango de medición de corriente primaria) ※Ratio del controlador de temperatura ratio=1/1000, Exactitud medida: ±5% F.S. ±1-dígito |
| Método de control | Calefacción, refrigeración, calefacción y refrigeración: control ON/OFF, P, PI, PD, PID |
| Salida de control SSR | Máx. 12VCC @(=) ±3V 20mA |
| Corriente de salida de control | Selección de 4-20mA CC ó 0-20mA CC (Resistencia de carga máx. 500Ω) |
| Comunicación | Modbus RTU |
| Banda proporcional | RTD/Termopares: 1 a 999℃/℉ (0.1 a 999.9℃/℉), analógico: 0.1 a 999.9 dígitos |
| Tiempo integral | 0 a 9999 s |
| Tiempo derivativo | 0 a 9999 s |
| Período de control | 1,0 a 120,0 segundos |
| Reinicio manual | 0 a 100% ( 0.0 a 100.0%) |
| Tipo de aislamiento | Doble aislamiento o aislamiento reforzado (marca: @(INS), resistencia dieléctrica entre la parte de entrada de medición y la parte de potencia: 1 kV) |
| Peso unitario (peso empaquetado) | ≈ 178 g (≈ 251 g) |
| Fuente de alimentación | 24VCC @(=) |
| Rango de voltaje disponible | 90 a 110% del voltaje nominal |
| Consumo de alimentación | Máx. 5W (por carga máxima) |
| Método de visualización | Ajuste sin parámetros y monitoreo disponible en dispositivos externos (PC, PLC, etc.) |
| Protección de memoria | ≈ 10 años (tipo de memoria semiconductora no volátil) |
| Resistencia del aislamiento | 100MΩ(a 500VCC meggers) |
| Rigidez dieléctrica | Entre la parte de carga y el cuerpo: 1,000 VCA~ 50/60 Hz por 1 minuto |
| Vibración | Amplitud de 0,75 mm a una frecuencia de 5 a 55 Hz en cada dirección X, Y, Z durante 2 horas |
| Inmunidad al ruido | Ruido de onda cuadrado de ±0.5kV (ancho pulso: 1㎲) por simulador de ruido |
| Temperatura del entorno ambiental | De -10 a 50°C, almacenamiento: de -20 a 60°C |
| Ambiente de la humedad ambiente | 35 a 85%RH, almacenamiento : 35 a 85%RH |
| Protección | IP20 (Estándar IEC) |
※Dado que el módulo de expansión no se suministra con alimentación/comunicación. Terminal. Úselo con el módulo básico. ※Cuando la salida de control se establece en la salida de corriente, la función de monitoreo del valor de corriente del calentador a través de los terminales de entrada CT no está disponible. ※El módulo de extensión/opción/comunicación de control utiliza el voltaje de alimentación del módulo básico de control. ※La resistencia ambiental está clasificada sin congelación ni condensación.
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