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TNS-P42CR-NS-006 - Controladores de temperatura 2-DOF PID (programa/control fijo)
* La imagen puede diferir
TNS-P42CR-NS-006
- Fuente de alimentación : 100-240VCA~ 50/60Hz
- Salida de control_Relevador : 250VCA~ 3A 1a
- Corriente de salida de control : 0 - 20 mACC o 4 - 20 mACC (parámetro), Resistencia de carga: ≤ 500 Ω
- Alarma de salida opcional : 250VCA~ 3A 1a
- Control de programa_Programa : ≤ 10 patrones
- Puerto de carga : Lado superior
Hoja de datos Imprimir
| Fuente de alimentación | 100-240VCA~ 50/60Hz |
|---|---|
| Consumo de alimentación | Máx. 8VA |
| Método de visualización | 11 segment, LCD type (operating value display part: 7 segment) |
| Ciclo de muestreo | 50 / 100 / 250 ms (parámetro) |
| Entrada opcional_Entrada del controlador | • 0.0-50.0 A (primary current measurement range)• CT ratio: 1/1 |
| Salida de control_Relevador | 250VCA~ 3A 1a |
| Corriente de salida de control | 0 - 20 mACC o 4 - 20 mACC (parámetro), Resistencia de carga: ≤ 500 Ω |
| Alarma de salida opcional | 250VCA~ 3A 1a |
| Tipo de control_Tipo | ON/OFF, P, PI, PD, PID |
| Tipo de control_Multi SV | ≤ 4 SV |
| Tipo de control_Grupo PID | ≤ 8 grupo |
| Tipo de control_Zona PID | 4 zonas |
| Tipo de control_ARW | 50 a 200 % |
| Control de programa_Programa | ≤ 10 patrones |
| Contol de programa_Paso | ≤ 200 pasos (1 patrón: ≤ 20 pasos) |
| Contol de programa_Tipo de ajuste | Ajuste de tiempo |
| Histéresis | • Termopar, RTD: 1 a 100 (0,1 a 100,0) ℃/℉• Analógico: 1 a 100 dígitos |
| Rigidez dieléctrica | Entre terminal primaria y cuerpo: 3000 VCA~ 50/60 Hz por 1 min |
| Vibración | Amplitud de 0,75 mm a una frecuencia de 5 a 55 Hz en cada dirección X, Y, Z durante 2 horas |
| Ciclo de vida del relevador mecánico | • OUT1/2: ≥ 5.000.000 operaciones• AL1/2/3/4/5/6: ≥ 20.000.000 operaciones |
| Ciclo de vida del relevador eléctrico | • OUT1/2: ≥ 200 000 operaciones• AL1/2/3/4/5/6: ≥ 100 000 |
| Resistencia del aislamiento | ≥ 100 MΩ (500 VCC@(=) meggers) |
| Tipo de aislamiento | Doble aislamiento o aislamiento reforzado (marca: @(INS), rigidez dieléctrica entre la parte de entrada de medida y la parte de potencia: 3 kV) |
| Inmunidad al ruido | ±2 kV de ruido de forma cuadrada por simulador de ruido (ancho de pulso: 1 ㎲) Fase R, Fase S |
| Protección de memoria | ≈ 10 años (tipo de memoria semiconductora no volátil) |
| Temperatura ambiente | -10 a 50 ℃, almacenamiento: -20 a 60 ℃ (sin congelación ni condensación) |
| Humedad Medio ambiente | 35 a 85%HR |
| Protección | IP65 (panel frontal, estándar IEC) |
| Puerto de carga | Lado superior |
| Accesorios | Soporte |
| Peso | 128 g |
Vista previa en 3D
* Puede consultar el Visor 3D mediante el botón CAD debajo de la imagen del producto.
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Datos técnicosVer más
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