UT-P - Cảm biến siêu âm loại hình trụ

* Hình ảnh có thể khác

UT-P

Nguồn cấp : 12 - 30 VDC@(=) (dao động P-P: ≤ 10 %)
Dòng tiêu thụ : ≤ 25 mA
Mạch bảo vệ : Mạch bảo vệ chống gai áp, mạch vệ quá dòng ngõ ra ngắn mạch, bảo vệ chống đảo ngược cực nguồn
Điện trở cách điện : Trên 50MΩ (tại 500VDC)
Độ bền điện môi : Giữa phần sạc và vỏ: 1,000 VAC~ 50/60 Hz trong 1 phút

Hỏi đáp về giá Thêm vào sản phẩm quan tâm

Bảng dữ liệu
Nguồn cấp	12 - 30 VDC@(=) (dao động P-P: ≤ 10 %)
Dòng tiêu thụ	≤ 25 mA
Mạch bảo vệ	Mạch bảo vệ chống gai áp, mạch vệ quá dòng ngõ ra ngắn mạch, bảo vệ chống đảo ngược cực nguồn
Điện trở cách điện	Trên 50MΩ (tại 500VDC)
Độ bền điện môi	Giữa phần sạc và vỏ: 1,000 VAC~ 50/60 Hz trong 1 phút
Rung động	Khuếch đại gấp đôi 1.5 mm với tần số từ 10 đến 55Hz theo mỗi phương X, Y, Z trong 2 giờ
Va chạm	500 m/s² (≈ 50 G) theo mỗi phương X, Y, Z trong 3 lần
Môi trường_Nhiệt độ xung quanh	5 đến 60 ℃, bảo quản: -40 đến 85 ℃ (không đóng băng hoặc ngưng tụ)
Môi trường_Độ ẩm xung quanh	0 đến 50 %RH, bảo quản: 0 đến 50 %RH (không đóng băng hoặc ngưng tụ)
Cấu trúc bảo vệ	IP20 (tiêu chuẩn IEC)
Kết nối	Loại dây cáp kèm giắc cắm

Tài liệu PR có thể được tải xuống mà không cần đăng nhập.

First Previous Previous {{pg}} Next Next Last

Bản vẽ 3D cho từng mô hình chi tiết có thể được kiểm tra và tải xuống từ trang mô hình ở phía dưới.

First Previous Previous {{pg}} Next Next Last

Trình duyệt được đề xuất